ТИПОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ГАЗООЧИСТКИ BEGG COUSLAND

Типовые технологии газоочистки.

Компания Begg Cousland спроектировала и поставила много газоочистных и абсорбционных систем для химических и обрабатывающих производств.  

Мы разрабатываем и поставляем скрубберы Вентури, эдукторы Вентури, мокрые циклоны и насадочные скрубберы, используя стандартные башни и конструкции насадок, либо адаптируя новые насадки для решения сложных задач.  Мы можем предложить Вам оптимальный вариант башни, абсорбера или дистилляционной колонны.

Компания Begg Cousland может спроектировать и поставить все типы газоочистного оборудования, как в качестве природоочистных технологий для контроля загрязнений,  так и в качестве ступени газоочистки в процессе обработки. Все газовые скрубберы разрабатываются для обеспечения хорошего контакта и смешивания между газом и жидкими частицами, как правило, для абсорбции, контроля запахов и удаления твердых частиц. Десорбция и дистилляция также относятся к массообмену, происходящему в колоннах.

Ниже наиболее часто встречающиеся конструкции, которые мы предлагаем.

Однофазные, противоточные насадочные модели удаляют газ путем абсорбции, либо химической реакции. Также подходит для контроля запахов. (См. газовый насадочный скруббер, рис. 1)  

Двухфазные противоточные модели удаляют 2 различных газа путем абсорбции или химической реакции с различными жидкими веществами с разделительным отсеком.  Подходит для 1-ой стадии зачистки или 2-ой стадии последовательных очистных режимов. (См. газовый насадочный скруббер, рис. 1) 

Эдукторы Вентури обычно используются там, где присутствуют «вязкие» твердые частицы, или там,  где высокий поток жидкости может конденсировать пар или образовать впитывание (См. рис. Эдукторы Вентури).

Версия Вентури с высоким содержанием энергии / высокой эффективностью использует потом стадию циклона и может удалять частицы размером 0.1 микрона. Она не имеет склонности к закупорке (см. Вентури, рис.1).  В качестве альтернативы после Вертури может использоваться насадочное звено (См. Вентури, рис. 1).